अॅल्युमिना सिरेमिक वेफर पॉलिशिंग आणि सफायर लॅपिंग डिस्कचा वापर सेमी-कंडक्टिव्ह, डायमंड पॉलिशिंग इत्यादींमध्ये केला जातो.
प्रक्रिया: सर्व प्रकारचे पॉलिशिंग आणि लॅपिंग प्रक्रिया, जसे की सीएमपी (केमिकल मेकॅनिकल पॉलिशिंग), मेकॅनिकल पॉलिशिंग, प्रिसिजन पॉलिशिंग.
उच्च शुद्धता आणि रासायनिक टिकाऊपणा
उच्च यांत्रिक शक्ती आणि कडकपणा
उच्च गंजरोधकता
उच्च व्होल्टेज प्रतिरोध
१७००°C पर्यंत उच्च तापमान प्रतिरोधक
अत्यंत घर्षण प्रतिरोधक कामगिरी
उत्कृष्ट इन्सुलेशन कामगिरी
सर्व प्रकारचे आकार १८०, ३६०, ४५०, ६०० मिमी इत्यादी
| उत्पादनाचे नाव | ९९.७ उच्च शुद्धता ॲल्युमिना सिरेमिक पॉलिशिंग लॅपिंग डिस्क |
| साहित्य | ९९.७% ॲल्युमिना |
| सामान्य आकार | डी१८०, ३६०, ४५०, ६०० मिमी, सानुकूलित आकार स्वीकार्य. |
| रंग | हस्तिदंत |
| अर्ज | अर्धसंवाहक उद्योगातील वेफर आणि सफायर सीएमपी प्रक्रिया |
| किमान ऑर्डर | १पिक |
| युनिट | ९९.७ ॲल्युमिना सिरेमिक्स | ||
| सर्वसाधारण मालमत्ता | Al2O3 सामग्री | वजन% | ९९.७-९९.९ |
| घनता | जीएम/सीसी | ३.९४-३.९७ | |
| रंग | - | हस्तिदंत | |
| पाणी शोषण | % | 0 | |
| यांत्रिक गुणधर्म | वाकण सामर्थ्य (एमओआर) २० ºC | Mpa(psix10^3) | ४४०-५५० |
| लवचिक मापांक २०°C | GPa (psix10^6) | ३७५ | |
| विकर्स कठीणपणा | जीपीए (किलो/मिमी²) आर४५एन | >=१७ | |
| वाकण्याची ताकद | जीपीए | ३९० | |
| तन्य शक्ती २५ºC | MPa(psix10^3) | २४८ | |
| फ्रॅक्चर टफनेस (KI c) | Mpa* m^1/2 | ४-५ | |
| औष्णिक गुणधर्म | औष्णिक वाहकता (20ºC) | डब्ल्यू/एमके | 30 |
| औष्णिक प्रसरण गुणांक (25-1000ºC) | १x १०^-६/ºC | ७.६ | |
| थर्मल शॉक रेझिस्टन्स | ºC | २०० | |
| कमाल वापर तापमान | ºC | १७०० | |
| विद्युत गुणधर्म | डायलेक्ट्रिक सामर्थ्य (1MHz) | एसी-केव्ही/एमएम(एसी व्ही/एमआयएल) | ८.७ |
| डायलेक्ट्रिक स्थिरांक (1 मेगाहर्ट्झ) | २५°C | ९.७ | |
| व्हॉल्यूम रेझिस्टिव्हिटी | ओम-सेमी (25ºC) | १०^१४ | |
| ओम-सेमी (५००ºसे) | २×१०^१२ | ||
| ओम-सेमी (१०००ºसे) | २×१०^७ |
आम्ही ग्राहकांच्या मागणीनुसार बनवलेल्या ऑर्डर्स स्वीकारतो.
जर तुम्हाला उत्पादनाबद्दल अधिक माहिती हवी असेल, तर कृपया आमच्याशी संपर्क साधा आणि आम्ही तुम्हाला सर्वात योग्य उत्पादन व सर्वोत्तम सेवा देऊ!